Emettitore in PoliSi nei BJT
Effetto Tunnel
Circuito equivalente e frequenza di taglio del Mosfet.

Come avevo scritto, nei primi appelli le domande erano poche e standard; col passare degli appelli sono diventate del tutto randomatiche e coprono praticamente tutto il programma.
Posto la mia lista, ma riguarda i primi appelli, quindi è molto incompleta.

• Tecnica epitassiale CVD.
• Legge della giunzione e quasi livelli di Fermi
• Effetto Early
• Modulazione lunghezza di canale Mosfet
• Dipendenza della mobilità dalla temperatura
• Descrizione tecnica Shallow Trench CMOS
• Capacità di giunzione e diffusione
• Corrente Mosfet in triodo e in pinchoff
• Ionizzazione da impatto
• Mobilità (dipendenza da drogaggio e campo)
• Effetti di canale corto
• Scaling Mosfet
• Tensioni di rottura BJT
• Alte iniezioni giunzione pn
• Perforazione Source Drain e CHE
• Ricavare tensione di soglia NMOS
• Legge della giunzione
• Livello di Fermi intrinseco e legge dell’azione di massa
• CMOS. Calcolo tempo di propagazione invertitore simmetrico/asimmetrico
• Tecniche di isolamento BJT
• Variazione con la T della tensione in un diodo

Compito 8
1) Correnti di triodo e saturazione del Mosfet
2) Capacità giunzione P-N
3) Shallow Trench CMOS


Non ero a conoscenza di domande fuori programma. Probabilmente quella sul diodo Pin era una domanda sulla quale avresti dovuto ragionare sui diagrammi a bande etc, con le competenze acquisite.
In ogni caso se dovesse uscire una domanda non trattata da Rinaldi, conviene farlo presente!!!